поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUK7607-55B датащи(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7607-55B датащи(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
6 / 15 page Philips Semiconductors BUK75/7607-55B TrenchMOS™ standard level FET Product data Rev. 01 — 15 May 2003 6 of 15 9397 750 11235 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved. Source-drain diode VSD source-drain (diode forward) voltage IS = 40 A; VGS =0V; Figure 15 - 0.85 1.2 V trr reverse recovery time IS =20A; dIS/dt = −100 A/µs VGS = −10 V; VDS =30V -62 - ns Qr recovered charge - 60 - nC Table 4: Characteristics…continued Tj =25 °C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit |
Аналогичный номер детали - BUK7607-55B |
|
Аналогичное описание - BUK7607-55B |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |