поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

2SJ280 датащи(PDF) 2 Page - Hitachi Semiconductor

номер детали 2SJ280
подробное описание детали  SILICON P-CHANNEL MOS FET
Download  8 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
производитель  HITACHI [Hitachi Semiconductor]
домашняя страница  http://www.renesas.com/eng
Logo HITACHI - Hitachi Semiconductor

2SJ280 датащи(HTML) 2 Page - Hitachi Semiconductor

  2SJ280 Datasheet HTML 1Page - Hitachi Semiconductor 2SJ280 Datasheet HTML 2Page - Hitachi Semiconductor 2SJ280 Datasheet HTML 3Page - Hitachi Semiconductor 2SJ280 Datasheet HTML 4Page - Hitachi Semiconductor 2SJ280 Datasheet HTML 5Page - Hitachi Semiconductor 2SJ280 Datasheet HTML 6Page - Hitachi Semiconductor 2SJ280 Datasheet HTML 7Page - Hitachi Semiconductor 2SJ280 Datasheet HTML 8Page - Hitachi Semiconductor  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 8 page
background image
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
———————————————————————————————————————————
Drain to source breakdown
V(BR)DSS
–60
V
ID = –10 mA, VGS = 0
voltage
———————————————————————————————————————————
Gate to source breakdown
V(BR)GSS
±20
V
IG = ±200 µA, VDS = 0
voltage
———————————————————————————————————————————
Gate to source leak current
IGSS
±10
µA
VGS = ±16 V, VDS = 0
———————————————————————————————————————————
Zero gate voltage drain current
IDSS
–250
µA
VDS = –50 V, VGS = 0
———————————————————————————————————————————
Gate to source cutoff voltage
VGS(off)
–1.0
–2.25
V
ID = –1 mA, VDS = –10 V
———————————————————————————————————————————
Static drain to source on state
RDS(on)
0.033
0.043
ID = –15 A
resistance
VGS = –10 V *
————————————————————————
0.045
0.06
ID = –15 A
VGS = –4 V *
———————————————————————————————————————————
Forward transfer admittance
|yfs|
1725—
S
ID = –15 A
VDS = –10 V *
———————————————————————————————————————————
Input capacitance
Ciss
3300
pF
VDS = 10 V
————————————————————————————————
Output capacitance
Coss
1500
pF
VGS = 0
————————————————————————————————
Reverse transfer capacitance
Crss
480
pF
f = 1 MHz
———————————————————————————————————————————
Turn–on delay time
td(on)
30
ns
ID = –15 A
————————————————————————————————
Rise time
tr
170
ns
VGS = –10 V
————————————————————————————————
Turn–off delay time
td(off)
500
ns
RL = 2 Ω
————————————————————————————————
Fall time
tf
390
ns
———————————————————————————————————————————
Body–drain diode forward
VDF
–1.5
V
IF = –30 A, VGS = 0
voltage
———————————————————————————————————————————
Body–drain diode reverse
trr
200
ns
IF = –30 A, VGS = 0,
recovery time
diF / dt = 50 A / µs
———————————————————————————————————————————
* Pulse Test
2SJ280 L , 2SJ280 S


Аналогичный номер детали - 2SJ280

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Sony Corporation
2SJ28 SONY-2SJ28 Datasheet
25Kb / 1P
   Function : Sony P Channel VFET for TA-N88 Class D AMP
logo
Sanyo Semicon Device
2SJ281 SANYO-2SJ281 Datasheet
83Kb / 3P
   Very High-Speed Switching Applications
2SJ284 SANYO-2SJ284 Datasheet
73Kb / 3P
   Very High-Speed Switching Applications
2SJ285 SANYO-2SJ285 Datasheet
72Kb / 3P
   Very High-Speed Switching Applications
logo
VBsemi Electronics Co.,...
2SJ285 VBSEMI-2SJ285 Datasheet
980Kb / 7P
   P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
More results

Аналогичное описание - 2SJ280

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Hitachi Semiconductor
2SJ221 HITACHI-2SJ221 Datasheet
48Kb / 8P
   Silicon P-Channel MOS FET
2SJ363 HITACHI-2SJ363 Datasheet
37Kb / 7P
   Silicon P-Channel MOS FET
2SJ386 HITACHI-2SJ386 Datasheet
38Kb / 7P
   Silicon P-Channel MOS FET
logo
Renesas Technology Corp
2SJ181(L) RENESAS-2SJ181(L)_15 Datasheet
109Kb / 7P
   Silicon P Channel MOS FET
2SJ555 RENESAS-2SJ555_15 Datasheet
109Kb / 10P
   Silicon P Channel MOS FET
2SJ518 RENESAS-2SJ518_15 Datasheet
102Kb / 9P
   Silicon P Channel MOS FET
2SJ526 RENESAS-2SJ526_15 Datasheet
110Kb / 10P
   Silicon P Channel MOS FET
2SJ542 RENESAS-2SJ542_15 Datasheet
107Kb / 10P
   Silicon P Channel MOS FET
2SJ543 RENESAS-2SJ543_15 Datasheet
107Kb / 10P
   Silicon P Channel MOS FET
2SJ550 RENESAS-2SJ550 Datasheet
95Kb / 9P
   Silicon P Channel MOS FET
2SJ551 RENESAS-2SJ551 Datasheet
95Kb / 9P
   Silicon P Channel MOS FET
More results


Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8


датащи скачать

Go To PDF Page


ссылки URL




Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com