поискавой системы для электроныых деталей
Selected language     Russian  ▼
название детали
         подробно


WS7931DB датащит (Datasheet) 5 Page - Will Semiconductor Ltd.

№ деталь WS7931DB
подробность  CMOS Medium Band LTE LNA
скачать  7 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100% Zoom Out
производитель  WILLSEMI [Will Semiconductor Ltd.]
домашняя страница  http://www.willsemi.com/index.php?siteid=2
Logo 

   
 5 page
background image
WS7931DB
Will Semiconductor Ltd.
5
Aug, 2018 _ Rev. 1.5
1805
MHz ≤ f ≤ 2200 MHz; VCC = 2.8 V; VEN = 0 V; Temp = 25
C; input matched to 50 Ω with a 5.6 nH
inductor; The condition is applied unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICC
Supply current
6
9
12
μA
Gp
Power gain
f = 1843 MHz
-3.2
-4.0
dB
f = 1960 MHz
-3.0
-4.0
dB
f = 2140 MHz
-3.2
-4.0
dB
RLin
Input return loss
f = 1843 MHz
15.0
dB
f = 1960 MHz
14.5
dB
f = 2140 MHz
10.0
dB
RLout
Output return loss
f = 1843 MHz
14.0
dB
f = 1960 MHz
25.0
dB
f = 2140 MHz
15.0
dB
IP1dB
Input power at 1 dB
gain compression
f = 1850 MHz
+4.5
dBm
f = 2150 MHz
+4.5
dBm
IIP3
Input third-order
intercept point
f = 1850 MHz[1]
+27.0
dBm
f = 2150 MHz[2]
+27.0
dBm
[1] f1 = 1840 MHz, f2 = 1850 MHz, Pin = -10 dBm
[2] f1 = 2140 MHz, f2 = 2150 MHz, Pin = -10 dBm




Html Pages

1  2  3  4  5  6  7 


датащит скачать




ссылки URL

Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ]  

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность    |   закладка   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved© Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  , Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp  |   Russian : Alldatasheetru.com
Korean : Alldatasheet.co.kr   |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com  |   Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl