поискавой системы для электроныых деталей |
|
STP20NM60FP датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
STP20NM60FP датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor STP20NM60FP ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID= 0.25mA 600 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS; ID=0.25mA 3.0 5.0 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID=10A 250 290 mΩ IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V;VDS= 0V ± 0.1 μ A IDSS Drain-Source Leakage Current VDS= 600V; VGS= 0V; 1 μ A VSDF Diode forward voltage ISD=20A, VGS = 0 V 1.5 V |
Аналогичный номер детали - STP20NM60FP |
|
Аналогичное описание - STP20NM60FP |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |