поискавой системы для электроныых деталей |
|
KM68V257C-17 датащи(PDF) 8 Page - Samsung semiconductor |
|
KM68V257C-17 датащи(HTML) 8 Page - Samsung semiconductor |
8 / 9 page KM68V257C CMOS SRAM PRELIMINARY Rev 3.0 - 8 - February 1998 FUNCTIONAL DESCRIPTION * NOTE : X means Don ′t Care. CS WE OE Mode I/O Pin Supply Current H X X* Not Select High-Z ISB, ISB1 L H H Output Disable High-Z ICC L H L Read DOUT ICC L L X Write DIN ICC DATA RETENTION CHARACTERISTICS(TA=0 to 70 °C) Parameter Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit VCC for Data Retention VDR CS ≥VCC - 0.2V 2.0 - 3.6 V Data Retention Current IDR VCC = 3.0V, CS ≥VCC - 0.2V - - 0.07 mA Data Retention Set-Up Time tSDR See Data Retention Wave form(below) 0 - - ns Recovery Time tRDR 5 - - ms DATA RETENTION WAVE FORM VCC 3.0V VIH VDR CS GND Data Retention Mode CS ≥VCC - 0.2V tSDR tRDR CS controlled |
Аналогичный номер детали - KM68V257C-17 |
|
Аналогичное описание - KM68V257C-17 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |