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LC78626KE датащи(PDF) 4 Page - Sanyo Semicon Device |
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4 / 33 page LC78626KE No.5995-4/33 絶対最大定格 /Ta=25℃, VSS=0V unit 最大電源電圧 VDD max VSS−0.3∼VSS+4.0 V 入力電圧 VIN VSS−0.3∼VDD+0.3 V 出力電圧 VOUT VSS−0.3∼VDD+0.3 V 許容消費電力 Pd max 400 mW 動作周囲温度 Topr −20∼+75 ℃ 保存周囲温度 Tstg −40∼+125 ℃ 許容動作範囲 / Ta=25℃, VSS=0V min typ max unit 電源電圧 VDD1VDD, XVDD, LVDD, RVDD, VVDD 3.0 3.6 V ATT/DF/DACは通常速まで VDD2VDD, XVDD, LVDD, RVDD, VVDD 3.0 3.6 V 全機能、2倍速まで保証 入力「H」レベル電圧 VIH1 EFMI, DRAM0∼DRAM3以外の入力, 0.7VDD VDD V 入出力端子 VIH2 EFMI 0.6VDD VDD V VIH3 DRAM0∼DRAM3 0.45VDD VDD V 入力「L」レベル電圧 VIL1 EFMI, DRAM0∼DRAM3以外の入力, 0 0.3VDD V 入出力端子 VIL2 EFMI 0 0.4VDD V VIL3 DRAM0∼DRAM3 0 0.2VDD V データセットアップ時間 tSU COIN, RWC:図1 400 ns データホールド時間 tHD COIN, RWC:図1 400 ns 「H」レベルクロック tWH SBCK, CQCK:図1∼3 400 ns パルス幅 「L」レベルクロック tWL SBCK, CQCK:図1∼3 400 ns パルス幅 データリードアクセス時間 tRAC SQOUT, PW:図2, 3 0 400 ns コマンド送出時間 tRWC RWC:図1 1000 ns サブQ読出し tSQE WRQ;図2, RWC信号無し 11.2 ms イネーブル時間 サブコード読出し tSC SFSY:図3 136 μs サイクル時間 サブコード読出し tSE SFSY:図3 400 ns イネーブル時間 ポート入力データ tCSU CONT2∼CONT5, RWC:図4 400 ns セットアップ時間 ポート入力データ tCHD CONT2∼CONT5, RWC:図4 400 ns ホールド時間 ポート入力クロック tRCQ RWC, CQCK:図4 100 ns セットアップ時間 ポート出力データ遅延時間 tCDD CONT2∼5, RWC:図5 1200 ns 入力レベル VIN1 EFMI:スライスレベル制御, VDD=3.0V 0.8 Vp-p VIN2XIN:Cカップリング入力 1.0 Vp-p 動作周波数範囲 fOP EFMI 10 MHz X'tal発振周波数 fX XIN, XOUT 16.9344 MHz 電気的特性 / Ta=25℃, VDD=3.2V, VSS=0V min typ max unit 消費電流 IDD VDD, XVDD, LVDD, RVDD, VVDD:14 20 mA VDD=3.0∼3.6V通常再生 入力「H」レベル電流 IIH1 DEFI, EFMI, HFL, TES, RWC, COIN, 5 μA CQCK, FMT, MR1, MR2, RES, TESD, WOK, PAUSE IN, SHOCK, TESCLK, TESA, TESB, TESC, TESGB, TEST1:VIN=VDD IIH2 TAI, TEST2∼TEST5, CS: 15 55 μA VIN=VDD=3.6V 次ページへ続く。 |
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