поискавой системы для электроныых деталей |
|
STB80NF10 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB80NF10 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 14 page STP80NF10 - STB80NF10 Electrical characteristics 5/14 Table 5. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off-delay time Fall time VDD = 50V, ID= 40A, RG =4.7Ω, VGS=10V (see Figure 14) 26 80 116 60 ns ns ns ns Table 6. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current 80 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) 320 A VSD (2) 2. Pulsed:pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 80A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=80A, VDD = 50V di/dt = 100A/µs,Tj=150°C 106 450 8.5 ns nC A |
Аналогичный номер детали - STB80NF10 |
|
Аналогичное описание - STB80NF10 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |