поискавой системы для электроныых деталей |
|
BCX53 датащи(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
BCX53 датащи(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 8 page 1999 Apr 19 4 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistors BCX51; BCX52; BCX53 CHARACTERISTICS Tamb =25 °C unless otherwise specified. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT ICBO collector cut-off current IE = 0; VCB = −30 V −−−100 nA IE = 0; VCB = −30 V; Tj = 125 °C −−−10 µA IEBO emitter cut-off current IC = 0; VEB = −5V −−−100 nA hFE DC current gain VCE = −2 V; see Fig.2 IC = −5mA 40 −− IC = −150 mA 63 − 250 IC = −500 mA 25 −− DC current gain IC = −150 mA; VCE = −2 V; see Fig.2 BCX51-10; BCX52-10; BCX53-10 63 − 160 BCX51-16; BCX52-16; BCX53-16 100 − 250 VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = −500 mA; IB = −50 mA −−−500 mV VBE base-emitter voltage IC = −500 mA; VCE = −2V −−−1V fT transition frequency IC = −10 mA; VCE = −5 V; f = 100 MHz − 50 − MHz Fig.2 DC current gain; typical values. handbook, full pagewidth 0 160 80 120 40 MBH730 −10−1 hFE −1 IC (mA) −10 −103 −104 −102 VCE = −2 V |
Аналогичный номер детали - BCX53 |
|
Аналогичное описание - BCX53 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |