поискавой системы для электроныых деталей |
|
BD132 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BD132 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 8 page 1997 Mar 04 3 Philips Semiconductors Product specification PNP power transistor BD132 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Refer to TO-126; SOT32 standard mounting conditions. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter −−45 V VCEO collector-emitter voltage open base −−45 V VEBO emitter-base voltage open collector −−4V IC collector current (DC) −−3A ICM peak collector current −−6A IBM peak base current −−0.5 A Ptot total power dissipation Tmb ≤ 60 °C − 15 W Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 150 °C Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 100 K/W Rth j-mb thermal resistance from junction to mounting base 6 K/W |
Аналогичный номер детали - BD132 |
|
Аналогичное описание - BD132 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |