поискавой системы для электроныых деталей |
|
BF1100WR датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BF1100WR датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 14 page 1995 Apr 25 3 Philips Semiconductors Product specification Dual-gate MOS-FET BF1100WR LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Note 1. Device mounted on a printed-circuit board. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VDS drain-source voltage − 14 V ID drain current − 30 mA IG1 gate 1 current −±10 mA IG2 gate 2 current −±10 mA Ptot total power dissipation see Fig.2; up to Tamb =50 °C; note 1 − 280 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj operating junction temperature − +150 °C Fig.2 Power derating curve. handbook, halfpage 0 50 100 200 300 0 MLD180 150 200 100 Ptot (mW) T ( C) amb o Fig.3 Forward transfer admittance as a function of junction temperature; typical values. 50 0 50 150 40 0 MLD156 100 30 20 10 Yfs (mS) T ( C) j o |
Аналогичный номер детали - BF1100WR |
|
Аналогичное описание - BF1100WR |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |