поискавой системы для электроныых деталей |
|
BU2525A датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BU2525A датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 7 page Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525A Fig.3. Switching times waveforms. Fig.4. Switching times definitions. Fig.5. Switching times test circuit (BU2525A). Fig.6. Typical DC current gain. h FE = f (IC) parameter V CE Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage. V BEsat = f (IC); parameter IC/IB Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage. V CEsat = f (IC); parameter IC/IB IC IB VCE I IBend 32us 13us 10us t t t TRANSISTOR DIODE CM 0.1 10 IC / A hFE BU2525A 100 10 1 100 1 Tj = 25 C Tj = 125 C 5 V 1 V ICM 90 % 10 % tf ts IBend IC IB t t - IBM 0.1 1 10 IC / A VBESAT / V BU2525A 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 Tj = 25 C Tj = 125 C IC/IB= 3 4 5 + 150 v nominal adjust for ICM Lc BY228 Cfb T.U.T. LB IBend -VBB 0.1 10 IC / A VCESAT / V BU2525A 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 100 1 Tj = 25 C Tj = 125 C IC/IB = 4 5 3 November 1995 3 Rev 1.200 |
Аналогичный номер детали - BU2525A |
|
Аналогичное описание - BU2525A |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |