поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUK454-800A датащи(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK454-800A датащи(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 7 page Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK454-800A/B Fig.7. Typical transfer characteristics. I D = f(VGS) ; conditions: VDS = 25 V; parameter Tj Fig.8. Typical transconductance, T j = 25 ˚C. g fs = f(ID); conditions: VDS = 25 V Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance. a = R DS(ON)/RDS(ON)25 ˚C = f(Tj); ID = 1.0 A; VGS = 10 V Fig.10. Gate threshold voltage. V GS(TO) = f(Tj); conditions: ID = 1 mA; VDS = VGS Fig.11. Sub-threshold drain current. I D = f(VGS); conditions: Tj = 25 ˚C; VDS = VGS Fig.12. Typical capacitances, C iss, Coss, Crss. C = f(V DS); conditions: VGS = 0 V; f = 1 MHz 0 2 4 6 8 10 BUK454-800A VGS / V 4 3 2 1 0 ID / A 25 150 Tj / C = -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 Tj / C VGS(TO) / V 4 3 2 1 0 max. typ. min. 0 1 2 3 4 BUK454-800A ID / A gfs / S 3 2 1 0 0 1 2 3 4 VGS / V ID / A 1E-01 1E-02 1E-03 1E-04 1E-05 1E-06 SUB-THRESHOLD CONDUCTION typ 2 % 98 % -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 Tj / C Normalised RDS(ON) = f(Tj) 2 1 0 a 0 20 40 VDS / V C / pF Ciss Coss Crss 10 100 1000 10000 BUK4y4-800 April 1993 4 Rev 1.100 |
Аналогичный номер детали - BUK454-800A |
|
Аналогичное описание - BUK454-800A |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |