поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUK456-1000 датащи(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK456-1000 датащи(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
5 / 7 page Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK456-1000B Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics. V GS = f(QG); conditions: ID = 3.5 A; parameter VDS Fig.14. Typical reverse diode current. I F = f(VSDS); conditions: VGS = 0 V; parameter Tj 0 10 20 30 40 QG / nC VGS / V 12 10 8 6 4 2 0 VDS / V =200 800 BUK456-1000 0 1 2 BUK456-1000A VSDS / V IF / A 10 8 6 4 2 0 25 C 150 C May 1995 5 Rev 1.200 |
Аналогичный номер детали - BUK456-1000 |
|
Аналогичное описание - BUK456-1000 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |