поискавой системы для электроныых деталей |
|
STB100NF04 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB100NF04 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 17 page STB100NF04 - STP100NF04 Electrical characteristics 5/17 Table 5. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 120 480 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on Voltage ISD=120A, VGS=0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse recovery Current ISD=120A, VDD=20V, di/dt=100A/µs, Tj=150°C 75 185 5 ns nC A |
Аналогичный номер детали - STB100NF04 |
|
Аналогичное описание - STB100NF04 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |