поискавой системы для электроныых деталей |
|
IRF540S датащи(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
IRF540S датащи(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
6 / 9 page Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS ™ transistor IRF540, IRF540S Fig.13. Typical reverse diode current. I F = f(VSDS); conditions: VGS = 0 V; parameter Tj Fig.14. Maximum permissible non-repetitive avalanche current (I AS) versus avalanche time (tAV); unclamped inductive load 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 Source-Drain Voltage, VSDS (V) Source-Drain Diode Current, IF (A) Tj = 25 C 175 C VGS = 0 V 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 Avalanche time, tAV (ms) Maximum Avalanche Current, IAS (A) Tj prior to avalanche = 150 C 25 C August 1999 6 Rev 1.100 |
Аналогичный номер детали - IRF540S |
|
Аналогичное описание - IRF540S |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |