поискавой системы для электроныых деталей |
|
BC857M датащи(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
BC857M датащи(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 10 page 2004 Mar 10 4 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors BC857M series CHARACTERISTICS Tamb =25 °C unless otherwise specified. Note 1. Pulse test: tp ≤ 300 µs; δ≤ 0.02. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT ICBO collector-base cut-off current VCB = −30 V; IE =0 −−15 nA VCB = −30 V; IE = 0; Tj = 150 °C −−5 µA IEBO emitter-base cut-off current VEB = −5 V; IC =0 −−100 nA hFE DC current gain VCE = −5 V; IC = −2mA BC857AM 125 250 BC857BM 220 475 BC857CM 420 800 VBE base-emitter voltage IC = −2 mA; VCE = −5V −600 −750 mV IC = −10 mA; VCE = −5V −−820 mV VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = −10 mA; IB = −0.5 mA −−200 mV IC = −100 mA; IB = −5 mA; note 1 −−400 mV Cc collector capacitance IE =ie = 0; VCB = −10 V; f = 1 MHz − 2.5 pF fT transition frequency VCE = −5 V; IC = −10 mA; f = 100 MHz 100 − MHz F noise figure IC = −200 µA; VCE = −5V; RS =2kΩ; f = 1 kHz; B = 200 Hz − 10 dB |
Аналогичный номер детали - BC857M |
|
Аналогичное описание - BC857M |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |