поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI5511DC-T1-E3 датащи(PDF) 5 Page - Vishay Siliconix |
|
SI5511DC-T1-E3 датащи(HTML) 5 Page - Vishay Siliconix |
5 / 12 page Document Number: 73787 S-72204-Rev. B, 22-Oct-07 www.vishay.com 5 Vishay Siliconix Si5511DC N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0.001 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 0.1 0.01 1 10 20 TA = 150 °C TA = 25 °C 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 12345 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C ID = 4.8 A 0 30 50 10 20 Time (s) 40 1 100 600 10 10-1 10-2 10-4 10-3 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 10 ms 100 ms DC 1 s 10 s 1 ms 0.001 100 1 0.1 1 100 0.01 10 0.1 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which rDS(on) is specified 10 TA = 25 °C Single Pulse BVDSS Limited Limited by rDS(on)* |
Аналогичный номер детали - SI5511DC-T1-E3 |
|
Аналогичное описание - SI5511DC-T1-E3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |