поискавой системы для электроныых деталей |
|
BAS282-GS18 датащи(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
|
BAS282-GS18 датащи(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix |
2 / 5 page www.vishay.com 2 Document Number 85500 Rev. 1.7, 17-Mar-06 BAS281 / 282 / 283 Vishay Semiconductors Thermal Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Electrical Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Typical Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Test condition Symbol Value Unit Junction to ambient air on PC board 50 mm x 50 mm x 1.6 mm RthJA 320 K/W Junction temperature Tj 125 °C Storage temperature range Tstg - 65 to + 150 °C Parameter Test condition Symbol Min Typ. Max Unit Forward voltage IF = 0.1 mA VF 330 mV IF = 1 mA VF 410 mV IF = 15 mA VF 1000 mV Reverse current VR = VRmax IR 200 nA Diode capacitance VR = 1 V, f = 1 MHz CD 1.6 pF Figure 1. Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction Temperature 0 2 4 6 8 10 12 14 25 50 75 100 125 150 T j - Junction Temperature (°C) 15794 V R = 60 V R thJA = 540 kW PR VR - Limit at 100 % P R - Limit at 100 % VR P R - Limit at 80 % VR Figure 2. Reverse Current vs. Junction Temperature 0.1 100 1000 25 50 75 100 125 150 1 10 15795 VR = VRRM Tj -Junction Temperature (°C) |
Аналогичный номер детали - BAS282-GS18 |
|
Аналогичное описание - BAS282-GS18 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |