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●

Memory cell characteristics(Ta=25℃, Vcc0～3 = 3.0～5.5V)

Parameter

Specification

Unit

Min.

Typ.

Max.

Write/Erase Cycle

*1

1,000,000

－

－

Cycles

Data Retention

*1

40

－

－

Years

*1:Not 100％ TESTED

●

Input/output capacity (Ta=25℃, Frequency=5MHz)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

SDA pins (SDA0,1,2,3) *1

Cin

－

7

－

pF

SCL pins (SCL0,1,2,3) *1

Cin2

－

7

－

pF

*1:Not 100％ TESTED

●

EEPROM DC operating characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40～85℃, Vcc0～3 = 3.0～5.5V)

Parameter

Symbol

Specification

Unit

Test condition

Min.

Typ.

Max.

"H" Input Voltage0

VIH0

0.7×Vcc0

－

Vcc0+0.5

V

3.0≦Vcc0≦5.5V（SCL0, SDA0）

"L" Input Voltage0

VIL0

-0.3

－

0.3×Vcc0

V

3.0≦Vcc0≦5.5V（SCL0, SDA0）

"H" Input Voltage1

VIH1

0.7×Vcc1

－

Vcc1+0.5

V

3.0≦Vcc1≦5.5V（SCL1, SDA1）

"L" Input Voltage1

VIL1

-0.3

－

0.3×Vcc1

V

3.0≦Vcc1≦5.5V（SCL1, SDA1）

"H" Input Voltage2

VIH2

0.7×Vcc2

－

Vcc2+0.5

V

3.0≦Vcc2≦5.5V（SCL2, SDA2）

"L" Input Voltage2

VIL2

-0.3

－

0.3×Vcc2

V

3.0≦Vcc2≦5.5V（SCL2, SDA2）

"H" Input Voltage3

VIH3

0.7×Vcc3

－

Vcc3+0.5

V

3.0≦Vcc3≦5.5V（SCL3, SDA3）

"H" Input Voltage3

VIL3

-0.3

－

0.3×Vcc3

V

3.0≦Vcc3≦5.5V（SCL3, SDA3）

"L" Output Voltage0

VOL0

－

－

0.4

V

IOL=3.0mA , 3.0V≦Vcc0≦5.5V（SDA0）

"L" Output Voltage1

VOL1

－

－

0.4

V

IOL=3.0mA , 3.0V≦Vcc1≦5.5V（SDA1）

"L" Output Voltage2

VOL2

－

－

0.4

V

IOL=3.0mA , 3.0V≦Vcc2≦5.5V（SDA2）

"L" Output Voltage3

VOL3

－

－

0.4

V

IOL=3.0mA , 3.0V≦Vcc3≦5.5V（SDA3）

WP "H" Input Voltage

VIH4

0.7×Vcc0

－

Vcc0+0.3

V

3.0≦Vcc0≦5.5V（WPB）

WP "L" Input Voltage

VIL4

-0.3

－

0.3×Vcc

V

3.0≦Vcc0≦5.5V（WPB）

Input Leakage Current0

ILI0

-1

－

1

μA

VIN=0～5.5V（SCL0～3）

Input Leakage Current1

ILI1

55

110

230

μA

WPB=5.5V , Vcc=5.5V

Output Leakage Current0

ILO0

-1

－

1

μA

VOUT=0～5.5（SDA0～3）

Operating Current

ICC1

－

－

2.0

mA

Vcc0=5.5V, fSCL=400kHz，tWR=5ms

Byte Write, Page Write

ICC2

－

－

1.0

mA

Vcc0～3=5.5V, fSCL=400kHz

Random Read, Current Read,

Sequential Read, (each port operation)

Standby Current

ISB0

－

－

100

μA

Vcc～0=5.5V, SDA0～3=SCL0～3=5.5V,

WPB=GND

Standby Current

ISB1

－

－

100

μA

Vcc1=5.5V, SDA0～3=SCL0～3=5.5V,

WPB=GND

Standby Current

ISB2

－

－

100

μA

Vcc2=5.5V, SDA0～3=SCL0～3=5.5V,

WPB=GND

Standby Current

ISB3

－

－

100

μA

Vcc3=5.5V, SDA0～3=SCL0～3=5.5V,

WPB=GND

○

This product is not designed for protection against radioactive rays.