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TPC8028 датащи(PDF) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
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1 / 7 page TPC8028 2009-09-29 1 東芝電界効果トランジスタ シリコン NチャネルMOS形 (U-MOSⅣ) TPC8028 ○ リチウムイオン2次電池用 ○ ノートブック PC 用 ○ 携帯電子機器用 • 小型、薄型で実装面積が小さい。 • オン抵抗が低い。 : RDS (ON) = 3.5mΩ (標準) • 順方向伝達アドミタンスが高い。 : |Yfs| = 40 S (標準) • 漏れ電流が低い。 : IDSS = 10 µA (最大) (VDS = 30 V) • 取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。 : Vth = 1.3 ~ 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 絶対最大定格 (Ta = 25°C) 項目 記号 定格 単位 ド レイン・ソー ス間 電圧 VDSS 30 V ドレイン・ ゲート間電 圧 (RGS = 20 kΩ) VDGR 30 V ゲート・ソース間 電圧 VGSS ±20 V DC (注 1) ID 18 ドレイン 電流 パルス (注 1) IDP 72 A 許容 損失 (t = 10 s) (注 2a) PD 1.9 W 許容 損失 (t = 10 s) (注 2b) PD 1.0 W アバランシェエネルギー ( 単発 ) (注 3) EAS 84 mJ アバ ランシ ェ電流 IAR 18 A アバランシェエネルギー ( 連続 ) (注 2a) (注 4) EAR 0.066 mJ チャ ネル 温 度 Tch 150 °C 保存温 度 Tstg −55~150 °C 注 : (注 1)、(注 2)、(注 3)、(注 4) は次項を参照ください。 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電 圧印加、多大な温度変化等 ) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個別 信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。 この製品は MOS 構造です。取り扱いの際には、静電気にご注意ください。 単位 : mm JEDEC ― JEITA ― 東 芝 2-6J1B 質量 : 0.080 g (標準) 回路構成 8 6 1 2 3 7 5 4 |
Аналогичный номер детали - TPC8028 |
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Аналогичное описание - TPC8028 |
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