поискавой системы для электроныых деталей |
|
FMH23N60ES датащи(PDF) 3 Page - Fuji Electric |
|
FMH23N60ES датащи(HTML) 3 Page - Fuji Electric |
3 / 5 page 33 FUJI POWER MOSFET FMH23N60ES -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Tch [°C] typ. max. Drain-Source On-state Resistance RDS(on)=f(Tch):ID=11.5A,VGS=10V -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0 1 2 3 4 5 6 7 8 typ. max. min. Gate Threshold Voltage vs. Tch VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA Tch [°C] 0 20 40 60 80 100 120 140 0 2 4 6 8 10 12 14 Qg [nC] Typical Gate Charge Characteristics VGS=f(Qg):ID=23A,Tch=25 °C 480V 300V Vcc= 120V 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 VDS [V] Typical Capacitance C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz Crss Coss Ciss 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 0.1 1 10 100 VSD [V] Typical Forward Characteristics of Reverse Diode IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25 °C 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 0 10 1 10 2 10 3 Typical Switching Characteristics vs. ID t=f(ID):Vcc=300V,VGS=10V,RG=8.2 Ω td(on) tr tf td(off) ID [A] |
Аналогичный номер детали - FMH23N60ES |
|
Аналогичное описание - FMH23N60ES |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |