поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SA1162 датащи(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
2SA1162 датащи(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
2 / 4 page BL Galaxy Electrical Production specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SA1162 Document number: BL/SSSTC0092 www.galaxycn.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-100μA,IE=0 -50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0 -50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-50V,IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-5V,IC=0 -0.1 μA DC current gain hFE VCE=-6V,IC=-2mA 70 400 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA -0.1 -0.3 V Transition frequency fT VCE=-10V, IC=-1mA 80 MHz Collector output capacitance Cob VCB=-10V,IE=0,f=1MHz 4 7 pF Noise figure NF VCE=-6V,IC=0.1mA, f=1MHz,Rg=10kΩ 1.0 10 dB CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank O Y G Range 70-140 120-240 200-400 |
Аналогичный номер детали - 2SA1162_08 |
|
Аналогичное описание - 2SA1162_08 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |