поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC3306 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SC3306 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 4 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3306 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ,IB=0 400 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA ,IE=0 500 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ,IC=0 7 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=400V; IE=0 100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=7V; IC=0 1.0 mA hFE DC current gain IC=5A ; VCE=5V 10 Switching times tr Rise time 1.0 μs tstg Storage time 2.5 μs tf Fall time VCC=200V; IC=5.0A IB1=-IB2=0.5A;RL=40 Ω 1.0 μs |
Аналогичный номер детали - 2SC3306 |
|
Аналогичное описание - 2SC3306 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |