поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUH517 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
BUH517 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors BUH517 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA; IB=0 700 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=10mA; IC=0 10 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=1.25A 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=1.25A 1.3 V ICES Collector cut-off current VCE=1700V; VBE=0 Tj=125℃ 1.0 2.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 100 μA hFE DC current gain IC=5A ; VCE=5V 6 Switching times ts Storage time 2.7 3.9 μs tf Fall time IC=5A;IB1=1.25A;IB2=2.5A; VCC=400V 190 280 ns THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal resistance from junction to case 2.08 ℃/W |
Аналогичный номер детали - BUH517 |
|
Аналогичное описание - BUH517 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |