поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI4114DY датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI4114DY датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 10 page www.vishay.com 4 Document Number: 68394 S09-0764-Rev. B, 04-May-09 Vishay Siliconix Si4114DY New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 0.01 0.001 0.1 10 100 V SD - Source-to-Drain Voltage (V) TJ = 150 °C TJ = 25 °C - 0.9 - 0.6 - 0.3 0.0 0.3 0.6 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA ID =5mA T J - Junction Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0 246 8 10 TJ = 25 °C TJ = 125 °C ID =10A V GS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 34 68 102 136 170 0 1 1 1 0 0 . 0 0.01 0.1 Time (s) Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 0.01 0.1 1 10 100 1 100 0.01 0.1 10 1ms 10 ms 100 ms 1s DC 10 s BVDSS V DS - Drain-to-Source Voltage (V) * V DS > minimum VGS at which RDS(on) is specified Limited by RDS(on)* TA = 25 °C Single Pulse |
Аналогичный номер детали - SI4114DY_09 |
|
Аналогичное описание - SI4114DY_09 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |