поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI4288DY-T1-GE3 датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI4288DY-T1-GE3 датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 10 page www.vishay.com 4 Document Number: 67078 S10-2768-Rev. A, 29-Nov-10 Vishay Siliconix Si4288DY TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted) Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 0.01 0.001 0.1 10 100 TJ = 25 °C TJ = 150 °C V SD - Source-to-Drain Voltage (V) T J - Temperature (°C) - 0.8 - 0.6 - 0.4 - 0.2 0.0 0.2 0.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID =5mA ID = 250 μA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient V GS - Gate-to-Source Voltage (V) 0.000 0.016 0.032 0.048 0.064 0.080 012 345 67 89 10 TJ =25 °C TJ = 125 °C ID =10 A 0 10 20 30 40 50 0 1 1 1 0 0 . 0 0.01 0.1 Time (s) Safe Operating Area 0.01 100 1 100 0.01 0.1 10 s 10 ms 0.1 1 10 10 TA = 25 °C Single Pulse 1ms DC BVDSS Limited 1s 100 ms Limited by RDS(on)* V DS - Drain-to-Source Voltage (V) * V GS > minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Аналогичный номер детали - SI4288DY-T1-GE3 |
|
Аналогичное описание - SI4288DY-T1-GE3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |