поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI4666DY-T1-GE3 датащи(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
|
SI4666DY-T1-GE3 датащи(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 10 page Document Number: 66587 S10-1044-Rev. A, 03-May-10 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si4666DY TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Gate Charge 0 8 16 24 32 40 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 VGS =1 V VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VGS =10Vthru 2V 0.005 0.007 0.009 0.011 0.013 0.015 0 8 16 24 32 40 VGS =2.5 V VGS =10V VGS =4.5 V ID - Drain Current (A) 0 2 4 6 8 10 0 5 10 15 20 25 ID =10A VDS =15V VDS =5V VDS =10V Qg - Total Gate Charge (nC) Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 2 4 6 8 10 0.0 0.6 1.2 1.8 2.4 3.0 TC = 25 °C TC = 125 °C TC = - 55 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) Crss 0 320 640 960 1280 1600 0 5 10 15 20 Ciss Coss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID =10A VGS =2.5 V VGS =10V TJ - Junction Temperature (°C) |
Аналогичный номер детали - SI4666DY-T1-GE3 |
|
Аналогичное описание - SI4666DY-T1-GE3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |