поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI7236DP-T1-E3 датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI7236DP-T1-E3 датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 13 page www.vishay.com 4 Document Number: 70359 S09-0222-Rev. B, 09-Feb-09 Vishay Siliconix Si7236DP TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 TJ = 150 °C 10 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 1 TJ = 25 °C 100 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power (Junction-to-Ambient) VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.010 0.011 0.012 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 125 °C 25 °C ID = 20.7 A 0 10 20 30 40 50 0.01 1 10 1000 0.1 Time (s) 100 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 0.01 100 1 100 0.01 0.1 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which RDS(on) is specified 1 ms 10 ms 100 ms 1 s 100 µs 0.1 1 10 10 TA = 25 °C Single Pulse Limited by R * DS(on) DC 10 s BVDSS Limited |
Аналогичный номер детали - SI7236DP-T1-E3 |
|
Аналогичное описание - SI7236DP-T1-E3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |