поискавой системы для электроныых деталей |
|
BF660W датащи(PDF) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BF660W датащи(HTML) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
2 / 4 page Semiconductor Group 2 Aug-14-1996 BF 660W Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified. Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics Collector-emitter breakdown voltage IC = 1 mA, IB = 0 V(BR)CEO 30 - - V Collector-base breakdown voltage IC = 10 µA, IE = 0 V(BR)CBO 40 - - Base-emitter breakdown voltage IE = 10 µA, IC = 0 V(BR)EBO 4 - - Collector-base cutoff current VCB = 20 , IE = 0 ICBO - - 50 nA DC current gain IC = 3 mA, VCE = 10 V hFE 30 - - - AC Characteristics Transition frequency IC = 5 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz fT - 700 - MHz Collector-base capacitance VCB = 10 V, VBE = vbe = 0 , f = 1 MHz Ccb - 0.4 - pF Collector-emitter capacitance VCE = 10 V, VBE = vbe = 0 , f = 1 MHz Cce - 0.15 - |
Аналогичный номер детали - BF660W |
|
Аналогичное описание - BF660W |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |