поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUZ358 датащи(PDF) 1 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUZ358 датащи(HTML) 1 Page - Siemens Semiconductor Group |
1 / 8 page Semiconductor Group 1 01/97 BUZ 358 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 358 1000 V 4.5 A 2.6 Ω TO-218 AA C67078-S3111-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current TC = 25 °C ID 4.5 A Pulsed drain current TC = 25 °C IDpuls 18 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 5.1 Avalanche energy,periodic limited by Tjmax EAR 18 mJ Avalanche energy, single pulse ID = 5.1 A, VDD = 50 V, RGS = 25 Ω L = 62 mH, Tj = 25 °C EAS 850 Gate source voltage VGS ± 20 V Power dissipation TC = 25 °C Ptot 125 W Operating temperature Tj -55 ... + 150 °C Storage temperature Tstg -55 ... + 150 Thermal resistance, chip case RthJC ≤ 1 K/W Thermal resistance, chip to ambient RthJA 75 DIN humidity category, DIN 40 040 E IEC climatic category, DIN IEC 68-1 55 / 150 / 56 |
Аналогичный номер детали - BUZ358 |
|
Аналогичное описание - BUZ358 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |