поискавой системы для электроныых деталей |
|
FQD9N25TM датащи(PDF) 2 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FQD9N25TM датащи(HTML) 2 Page - Fairchild Semiconductor |
2 / 8 page D, D>, ,.+,5.)*+μ( )*+ , ΔD, $Δ D>, 5.)*+μ(-)*6 + ) ,$6 5 E:, ,.)*+,,.+, 0 μ( ,.)++,.0)*6 0+ μ( 5 :D1> ,.;+,,.+, 0++ ( 5 :D1>-! ,.;+,,.+, 0++ ( , :, ,.,5.)*+μ( ; + * + , - - ,.0+,5.; &( + ;; + ') Ω ,.*+,5.; &( 9 C 5 ,.)*,,.+, .0 +F# *'+ &++ 00+ 0'* -! 0* )+ ,.0)*,5.8 '( -.)*Ω 0; ;* - 0+* ))+ )* 9+ '* 0++ G : ,.)++,5.8 '( ,.0+, 0* * )+ G : ; C G : C * 5 B & ' ( 5 B7 )8 9 ( , , ,.+,5.& '( 0 * , -!-! ,.+,5.8 '( 5$.0++($μ 0*+ G -!-! + C μ ©2011 Fairchild Semiconductor Corporation FQD9N25TM_F085 Rev.C 1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature 3. ISD 9.4A, di/dt 300A/ μs, VDD BVDSS, Starting TJ = 25°C 4. Pulse Test : Pulse width 300 μs, Duty cycle 2% 5. Essentially independent of operating temperature AS DD Starting TJ 2. I = 25°C,L=4.8mH, =7.4A,RG=25 :, =50V during the inductor charging time and 0V during the time in avalanche V |
Аналогичный номер детали - FQD9N25TM |
|
Аналогичное описание - FQD9N25TM |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |