поискавой системы для электроныых деталей |
|
ACE7401B датащи(PDF) 2 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
ACE7401B датащи(HTML) 2 Page - ACE Technology Co., LTD. |
2 / 7 page ACE7401B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2 2 Packaging Type DFN3*3-8L Ordering information ACE7401B XX + H Electrical Characteristics TA=25 OC unless otherwise noted Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V, ID=-250uA -30 V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-30V, VGS=0V -1 uA Gate Leakage Current IGSS VGS=±20V, VDS=0V 100 nA Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS=-20V, ID=-10A 8.2 13 m Ω VGS=-10V, ID=-10A 9.2 14 VGS=-5V, ID=-7A 13.1 17 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS, IDS=-250µA -1.5 -1.8 -3 V Forward Transconductance gFS VDS=-5V, ID=-10A 26 S Diode Forward Voltage VSD ISD=-1A, VGS=0V -0.72 -1 V Maximum Body-Diode Continuous Current IS -4.2 A Switching Total Gate Charge Qg VDS=-15V, ID=-12A VGS=-10V 46.64 60.63 nC Gate-Source Charge Qgs 7.84 10.2 Gate-Drain Charge Qgd 9.96 12.95 Turn-On Delay Time Td(on) VDS=-15V, RL=1.25Ω, VGS=-10V, RGEN=3Ω 19.24 38.48 ns Turn-On Rise Time tf 8.56 17.12 NN : DFN3*3-8L Pb - free Halogen - free |
Аналогичный номер детали - ACE7401B |
|
Аналогичное описание - ACE7401B |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |