поискавой системы для электроныых деталей |
|
FDS4501H датащи(PDF) 5 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FDS4501H датащи(HTML) 5 Page - Fairchild Semiconductor |
5 / 8 page FDS4501H Rev C(W) Typical Characteristics: Q2 0 1 2 3 4 5 0 2 4 6 8 10 12 14 Q g, GATE CHARGE (nC) I D = -2.4A V DS = -5V -15V -10V 0 400 800 1200 1600 2000 0 5 10 15 20 -V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) C ISS C RSS C OSS f = 1MHz V GS = 0 V Figure 7. Gate Charge Characteristics. Figure 8. Capacitance Characteristics. 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) DC 10s 1s 100ms R DS(ON) LIMIT V GS =-4.5V SINGLE PULSE RθJA = 125 oC/W T A = 25 oC 1ms 10ms 0 5 10 15 20 0.01 0.1 1 10 100 1000 t 1, TIME (sec) SINGLE PULSE RθJA = 125°C/W T A = 25°C Figure 9. Maximum Safe Operating Area. Figure 10. Single Pulse Maximum Power Dissipation. |
Аналогичный номер детали - FDS4501H |
|
Аналогичное описание - FDS4501H |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |