поискавой системы для электроныых деталей |
|
KML0D3P20TV датащи(PDF) 2 Page - KEC(Korea Electronics) |
|
KML0D3P20TV датащи(HTML) 2 Page - KEC(Korea Electronics) |
2 / 4 page 2013. 2. 25 2/2 KML0D3P20TV Revision No : O ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ℃) Note 2) *Pulse test : Pulse width ≤300㎲, Duty Cycle≤2%. CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT Static Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID= -250μ A, VGS=0V -20 - - V Drain Cut-off Current IDSS VGS=0V, VDS= -16V - -0.3 -100 nA Gate Leakage Current IGSS VGS=±4.5V, VDS=0V - ±1.0 ±2.0 μA Gate Threshold Voltage Vth VDS=VGS, ID= -250μ A -0.45 - -1.0 V Drain-Source ON Resistance RDS(ON)* VGS= -4.5V, ID= -300mA - 0.80 1.20 Ω VGS= -2.5V, ID= -250mA - 1.20 1.60 VGS= -1.8V, ID= -150mA - 1.80 2.70 Forward Transconductance gfs* VDS= -10V, ID= -300mA - 0.4 - S Source-Drain Diode Forward Voltage VSD* IS= -150mA, VGS=0V - -0.8 -1.2 V Dynamic Total Gate Charge Qg* VDS= -10V, ID= -250mA, VGS= -4.5V - 1500 - pC QgS* - 150 - Gate-Source Charge Gate-Drain Charge Qgd* - 450 - Turn-on Delay time td(on)* VDD= -10V, VGS= -4.5V ID= -200mA, RG=10Ω - 5 - ns Turn-on Rise time tr - 3 - Turn-off Delay time td(off)* - 15 - Turn-off Fall time tf - 8 - |
Аналогичный номер детали - KML0D3P20TV |
|
Аналогичное описание - KML0D3P20TV |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |