поискавой системы для электроныых деталей |
|
KA3S0680RFB датащи(PDF) 2 Page - Fairchild Semiconductor |
|
KA3S0680RFB датащи(HTML) 2 Page - Fairchild Semiconductor |
2 / 12 page KA3S0680RB/KA3S0680RFB 2 Absolute Maximum Ratings Note: 1. Tj=25 °C to 150°C 2. Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature 3. L=24mH, starting Tj=25 °C Characteristic Symbol Value Unit Maximum Drain voltage (1) VD,MAX 800 V Drain Gate voltage (RGS=1M Ω) VDGR 800 V Gate source (GND) voltage VGS ±30 V Drain current pulsed (2) IDM 24.0 ADC Single pulsed avalanche energy (3) EAS 455 mJ Continuous drain current (TC=25 °C) ID 6.0 ADC Continuous drain current (TC=100 °C) ID 4.0 ADC Maximum supply voltage VCC,MAX 30 V Input voltage range VFB −0.3 to VSD V Total power dissipation PD (watt H/S) 150 W Derating 1.21 W/ °C Operating ambient temperature TA −25 to +85 °C Storage temperature TSTG −55 to +150 °C |
Аналогичный номер детали - KA3S0680RFB |
|
Аналогичное описание - KA3S0680RFB |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |