поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI2343CDS-T1-GE3 датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI2343CDS-T1-GE3 датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 7 page www.vishay.com 4 Document Number: 65474 S09-2270-Rev. A, 02-Nov-09 Vishay Siliconix Si2343CDS TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.1 1 10 100 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 TJ = 150 °C TJ = 25 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power (Junction-to-Ambient) 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 246 8 10 ID =4.2 A TJ =25 °C TJ = 125 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 2 4 6 8 10 0.01 0.1 1 10 100 1000 Time (s) TA = 25 °C Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 TA = 25 °C Single Pulse 100 ms Limited byRDS(on)* BVDSS Limited 1ms 100 µs 10 ms 1s,10s DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Аналогичный номер детали - SI2343CDS-T1-GE3 |
|
Аналогичное описание - SI2343CDS-T1-GE3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |