поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI4565ADY-T1-E3 датащи(PDF) 5 Page - Vishay Siliconix |
|
SI4565ADY-T1-E3 датащи(HTML) 5 Page - Vishay Siliconix |
5 / 15 page Document Number: 73880 S09-0393-Rev. B, 09-Mar-09 www.vishay.com 5 Vishay Siliconix Si4565ADY N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.1 1 100 VSD – Source-to-Drain Voltage (V) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 1.2 10 25 °C T = 150 °C J - 0.6 - 0.4 - 0.2 0.0 0.2 0.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ – Temperature (°C) ID = 5 mA D = 250 µA I On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.00 0.06 0.12 0.18 0.24 0.30 02 4 6 8 10 VGS – Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C 0 36 60 12 24 Time (s) 48 10 1 0.1 0.001 0.01 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient * VGS minimum VGS at which RDS(on) is specified 100 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 VDS – Drain-to-Source Voltage (V) 1 Limited by RDS(on)* TA = 25 °C Single Pulse 10 s DC 100 ms 1 s 10 ms 1 ms |
Аналогичный номер детали - SI4565ADY-T1-E3 |
|
Аналогичное описание - SI4565ADY-T1-E3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |