поискавой системы для электроныых деталей |
|
BTB857D3 датащи(PDF) 1 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
BTB857D3 датащи(HTML) 1 Page - Cystech Electonics Corp. |
1 / 6 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C601D3 Issued Date : 2008.12.23 Revised Date : Page No. : 1/6 BTB857D3 CYStek Product Specification Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857D3 Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A • Excellent DC current gain characteristics • Wide SOA • Complementary to BTC5103D3 • RoHS compliant package Symbol Outline BTB857D3 TO-126ML E C B B:Base C:Collector E:Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 °C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO -100 V Collector-Emitter Voltage VCEO -100 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V IC(DC) -3 Collector Current IC(Pulse) -4.5 *1 A Pd(TA=25℃) 1.5 Power Dissipation Pd(TC=25℃) 10 W Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Tstg -55~+150 °C Note : *1 . Single Pulse Pw=10ms |
Аналогичный номер детали - BTB857D3 |
|
Аналогичное описание - BTB857D3 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |