поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC3060 датащи(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
|
2SC3060 датащи(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3060 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ;RBE=> 850 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA; IE=0 1200 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA; IC=0 7 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage IC=2A; IB=0.4A 1.5 V VBE(sat) Base-emitter saturation voltage IC=2A; IB=0.4A 2.0 V VCB=1000V; IE=0 100 µA ICBO Collector cut-off current VCB=1000V; IE=0, TC=100 1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 100 µA hFE DC current gain IC=2A ; VCE=5V 10 30 fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=10V 15 MHz Cob Output capacitance IE=0; VCB=10V,f=1MHz 120 pF Switching times tr Rise time 0.5 µs tstg Storage time 3.5 µs tf Fall time VCC=400V; IC=2A IB1=0.2A;IB2=-0.6A; 0.3 µs |
Аналогичный номер детали - 2SC3060 |
|
Аналогичное описание - 2SC3060 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |