поискавой системы для электроныых деталей |
|
STP100N10F7 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STP100N10F7 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 23 page DocID023737 Rev 4 5/23 STB100N10F7, STD100N10F7, STF100N10F7, STP100N10F7 Electrical characteristics Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit I SD Source-drain current - 80 A I SDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) - 320 A V SD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300 μs, duty cycle 1.5% Forward on voltage I SD = 80 A, V GS =0 - 1.2 V t rr Reverse recovery time I SD = 80 A, di/dt = 100 A/μs, V DD =80 V, T j =150 °C -77 ns Q rr Reverse recovery charge - 146 nC I RRM Reverse recovery current - 4 A |
Аналогичный номер детали - STP100N10F7 |
|
Аналогичное описание - STP100N10F7 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |