поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

SI4465DY-T1 датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix

номер детали SI4465DY-T1
подробное описание детали  P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Download  5 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
производитель  VISHAY [Vishay Siliconix]
домашняя страница  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

SI4465DY-T1 датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix

  SI4465DY-T1 Datasheet HTML 1Page - Vishay Siliconix SI4465DY-T1 Datasheet HTML 2Page - Vishay Siliconix SI4465DY-T1 Datasheet HTML 3Page - Vishay Siliconix SI4465DY-T1 Datasheet HTML 4Page - Vishay Siliconix SI4465DY-T1 Datasheet HTML 5Page - Vishay Siliconix  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 4 / 5 page
background image
Si4465DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 70830
S-51472—Rev. C, 01-Aug-05
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
–0.2
–0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
ID = 250 mA
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0
1234
5
1
10
50
ID = 14 A
0.01
0
1
30
50
10
20
10
600
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
TJ = 25_C
TJ = 150_C
Threshold Voltage
TJ – Temperature (_C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power
VSD – Source-to-Drain Voltage (V)
VGS – Gate-to-Source Voltage (V)
Time (sec)
40
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10–3
10–2
1
10
600
10–1
10–4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = RthJA = 80_C/W
3. TJM – TA = PDMZthJA(t)
t1
t2
t1
t2
Notes:
4. Surface Mounted
PDM
100


Аналогичный номер детали - SI4465DY-T1

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
VBsemi Electronics Co.,...
SI4465DY-T1-E3 VBSEMI-SI4465DY-T1-E3 Datasheet
991Kb / 9P
   P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
More results

Аналогичное описание - SI4465DY-T1

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Vishay Siliconix
SI1305DL VISHAY-SI1305DL Datasheet
42Kb / 4P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Rev. C, 07-Apr-03
SI2311DS-T1-E3 VISHAY-SI2311DS-T1-E3 Datasheet
214Kb / 8P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Rev. B, 24-Mar-08
SI1407DL-T1 VISHAY-SI1407DL-T1 Datasheet
80Kb / 5P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Rev. D, 12-Jun-06
SI4465ADY VISHAY-SI4465ADY Datasheet
216Kb / 4P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Rev. A, 01-Jan-07
SI6467BDQ VISHAY-SI6467BDQ_05 Datasheet
196Kb / 4P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Rev. B, 12-Dec-05
SI1307DL VISHAY-SI1307DL Datasheet
68Kb / 4P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Rev. A, 01-Nov-99
SI1407DL VISHAY-SI1407DL Datasheet
64Kb / 4P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Rev. C, 17-Jul-00
SI1305DL VISHAY-SI1305DL_08 Datasheet
109Kb / 5P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
S-51075-Rev. D, 13-Jun-05
logo
Leshan Radio Company
LSI1013XT1G LRC-LSI1013XT1G Datasheet
371Kb / 6P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
logo
Vishay Siliconix
SI6467BDQ-T1-E3 VISHAY-SI6467BDQ-T1-E3 Datasheet
208Kb / 11P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Rev. D, 31-Mar-08
SI2315BDS VISHAY-SI2315BDS_V01 Datasheet
181Kb / 8P
   P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
01-Jan-2022
More results


Html Pages

1 2 3 4 5


датащи скачать

Go To PDF Page


ссылки URL




Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com