поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI4465DY-T1 датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI4465DY-T1 датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 5 page Si4465DY Vishay Siliconix www.vishay.com 4 Document Number: 70830 S-51472—Rev. C, 01-Aug-05 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) –0.2 –0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 mA 1.0 1.2 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0 1234 5 1 10 50 ID = 14 A 0.01 0 1 30 50 10 20 10 600 0.1 0.00 0.2 0.4 0.6 0.8 TJ = 25_C TJ = 150_C Threshold Voltage TJ – Temperature (_C) Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power VSD – Source-to-Drain Voltage (V) VGS – Gate-to-Source Voltage (V) Time (sec) 40 Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient Square Wave Pulse Duration (sec) 2 1 0.1 0.01 10–3 10–2 1 10 600 10–1 10–4 Duty Cycle = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 Single Pulse 100 1. Duty Cycle, D = 2. Per Unit Base = RthJA = 80_C/W 3. TJM – TA = PDMZthJA(t) t1 t2 t1 t2 Notes: 4. Surface Mounted PDM 100 |
Аналогичный номер детали - SI4465DY-T1 |
|
Аналогичное описание - SI4465DY-T1 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |