поискавой системы для электроныых деталей |
|
IRF7807D1PBF датащи(PDF) 5 Page - International Rectifier |
|
IRF7807D1PBF датащи(HTML) 5 Page - International Rectifier |
5 / 8 page IRF7807D1PbF www.irf.com 5 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (HEXFET® MOSFET) 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 Notes: 1. Duty factor D = t / t 2. Peak T = P x Z + T 1 2 J DM thJA A P t t DM 1 2 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 D = 0.50 SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) Fig 9. On-Resistance Vs. Gate Voltage 0 20 40 60 80 0.016 0.018 0.020 0.022 0.024 I , Drain Current (A) D VGS = 10V VGS = 4.5V Fig 10. On-Resistance Vs. Drain Current 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 VGS, Gate -to -Source Voltage (V) 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 ID = 7.0A |
Аналогичный номер детали - IRF7807D1PBF_15 |
|
Аналогичное описание - IRF7807D1PBF_15 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |