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JZDW22516 датащи(PDF) 1 Page - JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd |
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1 / 1 page 1. 芯片特征 (1) SIPOS和GPP双层钝化保护工艺 (2) 单台面外沟槽工艺 (3) VRRM≥1600V (4) 正面金属层:AL或Ti-Ni-Ag (5) 背面金属层:Ti-Ni-Ag (1) 15.2mm×15.2mm 3. 主要用途 (1) 整流电源 (2) 其他整流应用 4. 产品极限参数 符号 单位 数值 VRRM V 1600 VRSM V 1700 IF(AV) A 225 IFSM A 2700 I 2t A 2s 36450 Tj ℃ -40~150 5. 其他检查标准 最小值平均值 最大值 - - 0.1 - - 5 VF V - 0.9 1 - - - - - - 6.芯片结构 符号 单位 尺寸 U mm15.2±0.05 W mm 14.3±0.1 X mm 14.2±0.1 Y μm 300±10 Z μm 140±20 μm 7±1 μm 1.5~2.0 Tj=145℃ 沟槽深度 名称 芯片尺寸 正向压降 反向漏电流 外观检验 Jiangsu JieJie Micro-electronic Co., Ltd. http://www.jjwdz.com 芯片厚度 (1) 玻璃裂纹 沟槽尺寸 金属尺寸 AL金属层厚度 Ti-Ni-Ag金属层厚度 JZDW22516 高压整流二极管芯片(芯片代码:DVW225M1A/DVW225M2A) 正向平均电流 反向重复峰值电压 tp=10ms, sin 180°,Tj=150°C 正向浪涌电流 参数名称 结温范围 符号 参数名称 Tj=25°C,IRRM=5uA Tj=25°C,IRRM=5uA 反向不重复峰值电压 电流时间积分 说明 (2) 金属层侵蚀 全数 VR=1600V Tj=25℃ mA 抽检(5%) IR IF=5A,芯片测试,Tj=25℃ 2. 芯片尺寸 单位 测试条件 检验数量 标准数值 TS=80°C,Tj=150°C Tj = 150 °C, tp=10ms, sin 180° 测试条件 A K 1/1 |
Аналогичный номер детали - JZDW22516 |
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