поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI4511DY-T1 датащи(PDF) 6 Page - Vishay Siliconix |
|
SI4511DY-T1 датащи(HTML) 6 Page - Vishay Siliconix |
6 / 8 page Si4511DY Vishay Siliconix www.vishay.com 6 Document Number: 72223 S-41496—Rev. B, 09-Aug-04 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) P-CHANNEL 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 04 8 12 16 20 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 0 1 2 3 4 5 0 3 6 9 12 15 18 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0 8 16 24 32 40 VDS − Drain-to-Source Voltage (V) Crss Coss Ciss VDS = 10 V ID = 6.2 A ID − Drain Current (A) VGS = 4.5 V ID = 6.2 A VGS = 2.5 V Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current Qg − Total Gate Charge (nC) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature TJ − Junction Temperature (_C) 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0 1234 5 ID = 6.2 A 40 10 1 Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage VSD − Source-to-Drain Voltage (V) VGS − Gate-to-Source Voltage (V) VGS = 4.5 V TJ = 150_C TJ = 25_C |
Аналогичный номер детали - SI4511DY-T1 |
|
Аналогичное описание - SI4511DY-T1 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |