поискавой системы для электроныых деталей |
|
KTD2061 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
KTD2061 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor KTD2061 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; IB= 0 180 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 0.5A; IB= 50mA 1.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 0.5A; VCE= 5V 1.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 200V; IE= 0 1.0 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 1.0 μ A hFE DC Current Gain IC= 0.4A; VCE= 10V 70 240 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.4A; VCE= 10V 100 MHz hFE Classification O Y 70-140 120-240 |
Аналогичный номер детали - KTD2061 |
|
Аналогичное описание - KTD2061 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |