поискавой системы для электроныых деталей
Selected language     Russian  ▼
название детали
         подробно


L2SC5658M3T5G датащит (Datasheet) 2 Page - Leshan Radio Company

№ деталь L2SC5658M3T5G
подробность  General Purpose Amplifier NPN Silicon Transistor
скачать  4 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100% Zoom Out
производитель  LRC [Leshan Radio Company]
домашняя страница  http://www.lrc.cn/
Logo 

   
 2 page
background image
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SC5658M3T5G-2/4
L2SC5658M3T5G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Collector-Base Breakdown Voltage (IC = 50 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
50
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE = 50 mAdc, IE = 0)
V(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector-Base Cutoff Current (VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
0.5
mA
Emitter-Base Cutoff Current (VEB = 4.0 Vdc, IB = 0)
IEBO
0.5
mA
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 2)
(IC = 60 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VCE(sat)
0.4
Vdc
DC Current Gain (Note 2)
(VCE = 6.0 Vdc, IC = 1.0 mAdc)
hFE
120
560
Transition Frequency (VCE = 12 Vdc, IC = 2.0 mAdc, f = 30 MHz)
fT
180
MHz
Output Capacitance (VCB = 12 Vdc, IC = 0 Adc, f = 1.0 MHz)
COB
2.0
pF
2. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.
Version 1.0




Html Pages

1  2  3  4 


датащит скачать




ссылки URL

Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ]  

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность    |   закладка   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved© Alldatasheet.com 2003 - 2017    


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  , Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp  |   Russian : Alldatasheetru.com
Korean : Alldatasheet.co.kr   |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com  |   Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl