поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC3676 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SC3676 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3676 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA ; IB= 0 900 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC=60mA; IB=12mA 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 60mA; IB= 12mA 2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 900V; IE= 0 10 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 4V; IC= 0 10 μ A hFE DC Current Gain IC= 30mA ; VCE= 5V 30 fT Current-Gain—Bandwidth Product IE=30mA ; VCE= 10V 6 MHz COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= 100V;ftest= 1.0MHz 5.0 pF |
Аналогичный номер детали - 2SC3676 |
|
Аналогичное описание - 2SC3676 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |