поискавой системы для электроныых деталей |
|
SI8465DB датащи(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI8465DB датащи(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 8 page www.vishay.com 4 Document Number: 65363 S09-1922-Rev. A, 28-Sep-09 Vishay Siliconix Si8465DB TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.1 1 10 100 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 TJ = 150 °C VSD - Source-to-Drain Voltage (V) TJ = 25 °C 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0 1 234 5 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TJ = 25 °C TJ = 125 °C ID =1.5 A 0 5 10 15 20 25 Time (s) 10 1000 0.1 0.01 0.001 100 1 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient V DS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 TA = 25 °C Single Pulse 10 ms 10 s, DC Limited byRDS(on)* BVDSS Limited 1ms 100 µs 100 ms,1s |
Аналогичный номер детали - SI8465DB |
|
Аналогичное описание - SI8465DB |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |