поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC3052 датащи(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
2SC3052 датащи(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
2 / 4 page Production specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC3052 C159 www.gmicroelec.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100μA,IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=0.1mA,IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=50V,IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=6V,IC=0 0.1 μA DC current gain hFE VCE=6V,IC=1mA VCE=6V,IC=0.1mA 150 90 800 Collector to Emitter saturation voltage VCE(sat) IC=100mA, IB=10mA 0.3 V Collector output capacitance Cob VCB=6V,IE=0,f=1MHz 2.5 pF Transition frequency fT VCE=6V, IC= 10mA 200 MHz Noise Figure NF VCE=6V,IE=0.1mA, f=1kHz,RG=2kΩ 20 dB CLASSIFICATION OF hFE Rank E F G Range 150-300 250-500 400-800 Marking LE LF LG TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified |
Аналогичный номер детали - 2SC3052 |
|
Аналогичное описание - 2SC3052 |
|
|
ссылки URL |
Конфиденциальность |
ALLDATASHEETRU.COM |
Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |