 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
STP315N10F7 датащи(PDF) 7 Page - STMicroelectronics |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
STP315N10F7 датащи(HTML) 7 Page - STMicroelectronics |
|
|
7 / 13 page  STP315N10F7 Electrical characteristics DocID025348 Rev 4 7/13 TJ=-50°C TJ=150°C TJ=25°C VSD 0 40 ISD(A) (V) 160 80 120 0.45 0.55 0.65 0.75 0.85 0.95 1.05 AM14739v1 Figure 8: Capacitance variations Figure 9: Normalized on-resistance vs temperature Figure 10: Normalized V(BR)DSS vs temperature Figure 11: Normalized gate threshold voltage vs temperature Figure 12: Source-drain diode forward characteristics C 6000 4000 2000 0 0 40 VDS(V) (pF) 20 8000 60 Ciss Coss Crss 10000 14000 80 100 12000 AM14738v1 RDS(on) 1.6 1.2 0.8 0.4 0 TJ(°C) (norm) -25 75 25 -75 125 2.0 ID = 60A AM14740v1 -25 75 25 -75 125 V(BR)DSS TJ(°C) (norm) 0.94 0.96 0.98 1.00 1.02 1.04 ID = 1m A AM14742v1 VGS(th) 0.90 0.80 0.70 0.60 TJ(°C) (norm) 1.0 0 -25 75 25 -75 125 ID = 250µ A AM14741v1 |
Аналогичный номер детали - STP315N10F7 |
|
Аналогичное описание - STP315N10F7 |
|
|
|
ссылки URL |
| Конфиденциальность |
| ALLDATASHEETRU.COM |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
